Пазл "Power Ranger Mystic Force", 100 элементов

Электротехника и основы электроники

На этой же поверхности сделаны и токопроводящие дорожки и площадки. Поскольку транзисторы и диоды полупроводниковой интеграль- ной микросхемы, изготовленной по совмещенной технологии находятся внутри монокристалла (подложки), размеры такой интегральной микросхе-мы могут быть значительно уменьшены по сравнению с размерами гибрид-ной интегральной микросхемы, в которой используются дискретные актив-ные элементы, занимающие сравнительно много места на подложке. 1.1. Основные параметры интегральных микросхем Плотность упаковки – это число элементов электронной схемы в одном кубическом сантиметре объема интегральной микросхемы. Степень интеграции x определяется количеством элементов , вхо- дящих в состав интегральной микросхемы. x = lg Микросхема 1 степени интеграции содержит до 10 элементов (мало- масштабная интегральная схема – мис). Микросхема 2 степени интеграции (среднемасштабная – сис) содержит от 10 до 100 элементов. Микросхема 3 степени интеграции содержит от 10І до 10і элементов и относится к катего- рии больших интегральных микросхем (БИС).